保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO_3薄膜结构和性能的影响

作     者：郝彦磊 刘保亭 彭增伟 贾冬梅 朱慧娟 张宪贵 HAO Yan-lei;LIU Bao-ting;PENG Zeng-wei;JIA Dong-mei;ZHU Hui-juan;ZHANG Xian-gui

作者机构：河北大学物理科学与技术学院保定071002 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2013年第42卷第2期

页      面：246-250页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家自然科学基金(11074063) 河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D) 高等学校博士点基金(20091301110002) 

主　　题：偏轴磁控溅射 保持温度 XRD BiFeO3 

摘      要：本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,并构架了Pt/BFO/Pt异质结电容器。利用X射线衍射(XRD)、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构和性能的影响。XRD图谱表明制备的BFO薄膜均为多晶结构,在保持温度400℃±2℃的区间内得到的BFO薄膜不含明显杂相,其它的温度均有明显的杂相。在保持温度为400℃时得到了较为饱和的电滞回线,在900 nm厚度的情况下,剩余极化强度仍可以达到Pr40μC/cm2,达到了实际应用的要求Pr10μC/cm2。漏电流拟合机制表明在低场下属于欧姆机制,在高场下比较接近空间电荷限制电流(SCLC)机制。