硒化温度对MoSe薄膜结构和光学带隙的影响
作者机构：桂林理工大学物理与电子信息工程学院
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2024年
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：MoSe 薄膜 硒化温度 磁控溅射 薄膜结构 光学带隙
摘 要：使用射频磁控溅射技术制备了钼（Mo）膜，再利用硒化退火方式生成二硒化钼(MoSe2)薄膜。对MoSe2薄膜的表面形貌、晶体结构和光学带隙进行了表征和分析。结果显示，MoSe2薄膜的晶体结构与硒化温度(Ts)密切相关：随着硒化温度的升高，薄膜的平均晶粒尺寸先略减小后增大，且（002）晶面取向优先生长。MoSe2薄膜对短波长光（600nm左右）具有较低的吸收率。随着硒化温度升高，MoSe2的直接带隙波发生蓝移，光学带隙随之减小。研究表明，通过改变硒化温度可以有效调控MoSe2结构和光学带隙，为MoSe2薄膜在光学器件应用方面提供更多可能。
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