Some Properties of Si,Ge,and α-Sn Using Pseudopotential Theory

作     者：P.S.Vyas B.Y.Thakore P.N.Gajjar A.R.Jani 

作者机构：Department of PhysicsSardar Patel University Department of PhysicsUniversity School of SciencesGujarat University 

出 版 物：《Communications in Theoretical Physics》 (理论物理通讯（英文版）)

年 卷 期：2010年第54卷第9期

页      面：573-577页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：UGC  New Delhi  India 

主　　题：势理论 属性 锡 体积弹性模量 硅 锗 校正功能 实验数据 

摘      要：在有我们的很好确定的单身的参量的模型潜力的第二份订单以外的 pseudopotential 理论被采用计算全部的水晶精力，静态的体积模量，在Jones地区脸和 Si 的压力卷关系(在压力下面的状态的方程)上的点 X 的精力乐队差距，用 Nagy 的静态的本地域修正的 Ge 和 -Sn 工作。结果与那些相比使用很少获得另外的本地地修正功能。全部的精力的现在的结果在对试验性的数据的好同意。屏蔽功能完美地与 Ge 和 -Sn 的试验性的结果正在匹配的由 Nagy 的家计算的体积模量。一些偏差在精力乐队差距的价值被发现。