适用于太阳电池的nc-Si:H薄膜及 nc-Si/c-Si异质结的研究
STUDY OF nc-Si:H FILM AND nc-Si/c-Si HETEROJUNCTION FOR SOLAR CELL作者机构：中国光电技术发展中心杭州310012
出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)
年 卷 期：2003年第24卷第Z1期
页 面：21-23页
核心收录：
学科分类：080702[工学-热能工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理]
摘 要：该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c-Si异质结具有良好的光电转换性能和稳定性,适用于制造太阳电池.
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