基于表面工程调控的MoTe/MoS异质结光电器件性能优化

作     者：王子坚 左慧琳 王萌 王成林 南海燕 

作者机构：江南大学集成电路学院 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2024年

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(Nos.62074070,62104084) 江苏省自然科学基金(Nos.BK20221065,BK20190576) 

主　　题：退火 异质结 掺杂 二维 光响应 

摘      要：MoTe2/MoS2异质结光电器件可能存在的界面缺陷问题，影响载流子的传输效率，进而降低器件性能，本研究旨在利用表面工程改善MoTe2/MoS2异质结光电器件的性能。采用机械剥离和干转移方法制备MoS2样品并对MoTe2/MoS2异质结进行R6G和F4-TCNQ有机分子掺杂以及进一步的退火处理。实验结果表明，表面工程异质结构显著提高了光电子器件性能。在-2V偏置和637nm （146.9μW）光照下，光电流从零偏置时的8.23×10-8A增加到7.12×10-7A。在18.94μW光照下，掺杂后的光响应时间从4.12×10-8s提高到7.49×10-9s。这些改进显著提高了光电探测器的灵敏度、转换效率和响应速度。这些发现为改善异质结性能、促进光电子器件发展以及促进材料科学研究提供了有价值的见解。