基于ITO键合技术的白光发光二极管特性研究
The Properties of the ITO Bonded GaN/GaAs White Emitting Diode作者机构：重庆大学通信工程学院重庆400044 北京工业大学光电子技术实验室北京100022 重庆通信学院重庆400035
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2012年第32卷第2期
页 面：170-174,179页
核心收录：
基 金：国家自然科学基金资助项目(60971016) 中央高校基本科研业务费资助项目(CDJXS10 16 11 13)
摘 要：根据色度学原理计算,通过选择匹配的基色波长和功率,制备了GaN/GaAs基ITO键合白光发光二极管(LED),得到了等能白光。通过测试发现,在20mA下,电压为5.3V,此方法是制备固态照明用白光LED的有效方法之一。
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