高调制效率的薄膜铌酸锂电光调制器设计
作者机构：广西类脑计算与智能芯片重点实验室广西师范大学电子与信息工程学院 广西高校集成电路与微系统重点实验室广西师范大学电子与信息工程学院 中国电子科技集团公司第三十四研究所
出 版 物：《光通信技术》 (Optical Communication Technology)
年 卷 期：2024年
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：光芯片 电光调制器 薄膜铌酸锂 高调制效率 有限元分析
摘 要：薄膜铌酸锂电光调制器具有大的电光带宽、高功率处理能力、低传输损耗和高消光比的特点。为了打破其电光调制效率的限制，本文提出了一种改进方案，采用下沉式双电极结构，并将二氧化硅保护层和钛酸钙高介电常数层嵌入薄膜铌酸锂波导与金属之间。通过有限元分析软件实现了一个电光调制带宽大于 60 GHz、光损耗小于0.2 dB/cm且半波电压长度积为1.42 V·cm的电光调制器。这项研究为薄膜铌酸锂电光调制器的小型化、集成化提供新方法。
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