PERC背钝化工艺卡点位置缺陷导致EL不良研究

作     者：张福庆 李文涛 张若凡 胡明强 张朔龙 Zhang Fuqing;Li Wentao;Zhang Ruofan;Hu Mingqiang;Zhang Shuolong

作者机构：晶澳太阳能有限公司邢台055550 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2024年第45卷第8期

页      面：385-390页

学科分类：080703[工学-动力机械及工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

主　　题：太阳电池 EL发黑 背钝化 预淀积 二合一管式PECVD 卡点钝化缺陷 

摘      要：以二合一管式PECVD背钝化镀膜工艺过程中出现的石墨舟空心卡点EL发黑品质异常为研究对象,分析讨论二合一管式PECVD背钝化工艺中射频功率、工艺温度、氧化铝沉积厚度等对晶硅太阳电池空心卡点EL发黑品质异常的影响。结果表明,在二合一管式PECVD背钝化工艺时采用12~16 nm厚度的氧化铝薄膜、350~370℃的预淀积工艺温度,能有效解决镀膜空心卡点EL发黑品质异常,显著提升晶硅太阳电池在二合一管式PECVD的镀膜品质。