基于ITO/聚甲基丙烯酸甲酯/Al的有机阻变存储器SPICE仿真

作     者：容佳玲 陈赟汉 周洁 张雪 王立 曹进 Rong Jia-Ling;Chen Yun-Han;Zhou Jie;Zhang Xue;Wang Li;Cao Jin

作者机构：上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第22期

页      面：428-433页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：上海自然科学基金(批准号:09ZR1411900) 上海市科委(批准号:11100703200) 上海大学创新基金(批准号:sdcx2012063)资助的课题~~ 

主　　题：有机阻变存储器 非线性电荷漂移 SPICE仿真 

摘      要：探索了ITO/PMMA/Al器件的阻变机理及其SPICE电路仿真,通过优化聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)层退火温度,器件可实现连续擦-读-写-读操作.基于不同退火温度PMMA薄膜的表面形貌研究,构建了单层有机阻变器件的非线性电荷漂移模型,以及描述该模型掺杂区界面移动的状态方程,并通过反馈控制积分器建立了SPICE仿真电路.最后,代入器件实际测量参数,得到与器件实际结果基本一致的电流-电压模拟曲线.结果验证了单层有机器件的阻变机理,说明该非线性电荷漂移模型的SPICE仿真在有机阻变器件仿真中同样适用.