ZAlSi7Mg1A铸造铝合金本色导电氧化工艺研究

作     者：张博宸 武丽茹 张怡辉 ZHANG Bo-chen;WU Li-ru;ZHANG Yi-hui

作者机构：河北燕兴机械有限公司河北张家口075000 

出 版 物：《全面腐蚀控制》 (Total Corrosion Control)

年 卷 期：2024年第38卷第7期

页      面：7-12页

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：铸造铝合金 本色导电氧化 耐蚀性 

摘      要：ZAlSi7Mg1A(ZL114A)铸造铝合金是一种应用较为广泛的铸造Al-Si合金材料,它适用于航空、航天及兵工等领域。本文以ZAlSi7Mg1A(ZL114A)铸造铝合金本色导电氧化工艺为研究对象,针对前处理及反应过程的优化进行了大量实验,经过碱性点滴试验、硫酸铜点滴试验和盐雾试验,最终获得了有较好耐磨性及耐蚀性的本色导电氧化膜,同时还探究了影响ZAlSi7Mg1A(ZL114A)铸造铝合金本色导电氧化成膜及耐蚀性的条件。讨论了温度、气管开度、去离子水、磷酸、铬酸酐、氟化钠、重复氧化和老化对成膜及耐蚀性的影响。并且对比了较成熟的导电氧化工艺(铬酸盐成膜)膜层耐蚀性。分析后得出以下结论:(1)本色导电氧化膜发灰及膜层性能不佳主要是出光步骤的问题;(2)在28~30℃条件下,一定浓度的磷酸-铬酸盐溶液中,pH为1.8~2.1,反应时间为4min时,耐蚀性达到最佳。