量子点发光二极管传输层研究进展
Research progress of quantum dots LED transmission layer作者机构：天津工业大学电子与信息工程学院天津300387
出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)
年 卷 期：2024年第43卷第9期
页 面：1-5页
摘 要：量子点发光二极管(QLED)凭借着色纯度好、半最大发射带宽窄、无机成分寿命长、合成工艺简单等优点,在显示和固态照明等领域表现出广泛的应用潜力。近年来,QLED的性能提升迅速,有取代有机发光二极管(OLED)的趋势。QLED的传输层材料的选择对提高器件的载流子注入起到了至关重要的作用。传输层的化学性质及其界面也会对器件的稳定性和寿命产生影响。本文总结了QLED传输层的研究现状,分析了制约QLED性能的因素,介绍了其性能改进的方向方法,并展望了QLED的未来发展。
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