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高精度经颅直流电刺激对精神分裂症患者前瞻性记忆缺陷的改善作用研究

High-precision transcranial direct current stimulation improving prospective memory deficits in patients with schizophrenia

作     者:王琪 李航 侯文鹏 周福春 王传跃 Wang Qi;Li Hang;Hou Wenpeng;Zhou Fuchun;Wang Chuanyue

作者机构:首都医科大学附属北京安定医院精神科国家精神疾病医学中心国家精神心理疾病临床医学研究中心精神疾病诊断与治疗北京市重点实验室北京100088 

出 版 物:《中华神经医学杂志》 (Chinese Journal of Neuromedicine)

年 卷 期:2024年第23卷第8期

页      面:792-798页

学科分类:1002[医学-临床医学] 10[医学] 

基  金:国家自然科学基金(82171501) 

主  题:前瞻性记忆 经颅直流电刺激 神经调控 

摘      要:目的观察靶向前额叶前部皮质(aPFC)的高精度经颅直流电刺激(tDCS)对精神分裂症患者前瞻性记忆(PM)缺陷的改善作用及安全性。方法纳入自2022年3月至2023年3月首都医科大学附属北京安定医院精神科门诊收治的38例存在PM缺陷的精神分裂症患者,采用随机信封法将其分为真刺激组和伪刺激组,各19例。真刺激组刺激电流强度为2 mA,持续时间为20 min。伪刺激组刺激电流强度同真刺激组,但持续时间为40 s。2组受试者均治疗2次/d,持续5 d。治疗前、治疗后1周通过实验室线索非聚焦PM范式评估受试者PM功能,通过阳性与阴性症状量表(PANSS)、MATRICS共识认知成套测验(MCCB)中文版评估受试者临床症状与认知功能。干预结束时通过tDCS不良反应问卷评估治疗安全性。结果2组受试者在PM试次正确率、PM试次反应时间上组别与时间(治疗前、治疗后1周)的交互作用均不显著(P0.05)。与治疗前比较,真刺激组治疗后1周PM试次正确率明显提高[(0.38±0.22)%vs.(0.57±0.28)%],差异有统计学意义(P0.05)。临床症状与认知功能方面,治疗后1周,真刺激组与伪刺激组PANSS、MCCB评分所有指标差异均无统计学意义(P0.05);并且2组所有指标上的时间(治疗前、治疗后1周)与组别的交互作用不显著(P0.05)。不良反应方面,与伪刺激组相比,真刺激组皮肤发红项目评分明显升高,差异有统计学意义(P0.05)。所有患者均未出现严重不良反应事件。结论本研究暂未发现高精度tDCS靶向aPFC治疗改善精神分裂症患者PM缺陷的阳性结果,但现有结果提示其存在改善趋势,可为后续改善精神分裂症PM缺陷的大样本临床试验提供初步证据。

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