通过锡氧团簇中Sn-C键的自由基反馈调节来平衡EBL光刻胶的灵敏度和分辨率（英文）

作     者：陈昊 黄心彦 赵英东 赵俊 陈鹏忠 彭孝军 

作者机构：State Key Laboratory of Fine Chemicals Frontiers Science Center for Smart Materials School of Chemical Engineering Dalian University of Technology Shanghai Advanced Research Institute Chinese Academy of Sciences State Key Laboratory of Fine Chemicals College of Materials Science and Engineering Shenzhen University 

出 版 物：《Science China Materials》 (中国科学:材料科学(英文版))

年 卷 期：2024年第67卷第10期

页      面：3142-3150页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：financially supported by the National Natural Science Foundation of China (22090011 and 22378052) the Fundamental Research Funds for China Central Universities (DUT22LAB608) the Key R&D Program of Shandong Province (2021CXGC010308) 

主　　题：extreme-ultraviolet photoresist Sn-oxygen clusters free radical alkyl ligand 

摘      要：锡氧团簇极紫外光刻胶中的Sn-C键在曝光时发生裂解并产生自由基,导致锡氧核的连接和溶解度变化.Sn-C键的反应活性和所产生自由基在薄膜中的迁移会对图案化结果（灵敏度和分辨率）产生重大影响.在此,我们将Sn4-Me-C10（含Sn-methyl键）和Sn4-Bu-C10（含Sn-butyl）这两种锡氧团簇结合起来,利用Sn-C键裂解产生的甲基和丁基自由基之间的反馈调节来平衡光刻胶的灵敏度和分辨率.Sn4-Bu-C10在低EBL曝光剂量下产生的丁基自由基引发Sn4-Me-C10的光刻反应,从而提高了灵敏度;随后,Sn4-Me-C10产生的不稳定甲基自由基和体积较大的金刚烷自由基淬灭过量的丁基自由基,从而提高了分辨率和曝光裕度.这种利用自由基反馈调节的方法为设计具有高分辨率、高灵敏度的锡氧团簇EBL光刻胶提供了新的思路.