重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合(英文)
Exciton-Phonon Coupling of NN_3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP作者机构：厦门大学物理系厦门361005 美国可再生能源实验室 美国加利福尼亚大学电机工程系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2004年第25卷第8期
页 面：889-893页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 2 ) 厦门大学预研基金 (批准号 :Y0 70 0 5 )资助项目~~
摘 要：通过光致发光谱研究了在 1 9～ 4 8K范围内掺氮浓度为 0 .1 2 %时的 Ga PN的 NN3束缚激子与声子的耦合 .直接计算了 NN3束缚激子的 L O,TO和 TA声子伴线的黄昆因子 S,除了 L O声子外 ,得到了 TO和 TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系 .计算表明 ,NN3的 L O,TO和 TA声子的 S因子均与温度无关 ,说明NN3的 L O,TO和 TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系 。
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