基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究

作     者：郭广水 曾心苗 周鹏 秦培中 孟宪芳 王强 GUO Guang-shui;ZENG Xin-miao;ZHOU Peng;QIN Pei-zhong;MENG Xian-fang;WANG Qiang

作者机构：北京市射线应用研究中心北京100012 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2010年第44卷第B9期

页      面：587-590页

核心收录：

学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：北京市科学技术研究院萌芽项目资助 

主　　题：MCNP程序 γ射线 衰减倍数 铅 

摘      要：为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势。作为验证,本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能,得到的结果与上述结论一致。