薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究
EXPERIMENTAL ANALYSIS AND PHYSICAL MODEL INVESTIGATION OF TDDB OF THIN GATE OXIDE作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2001年第50卷第6期
页 面：1172-1177页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：薄栅氧化层 击穿 衬底热载流子 注入效应 介质击穿 实验分析 模型研究 MOS集成电路
摘 要：通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明 ,热电子注入和F N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 .热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定 .
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