4H-SiC探测器的温度及辐照性能研究

作     者：张耀锋 杜园园 张春雷 曹李刚 兰小飞 黄永盛 ZHANG Yaofeng;DU Yuanyuan;ZHANG Chunlei;CAO Ligang;LAN Xiaofei;HUANG Yongsheng

作者机构：北京师范大学核科学与技术学院 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 中国科学院高能物理研究所粒子天体物理重点实验室 西华师范大学 中山大学深圳校区 

出 版 物：《原子核物理评论》 (Nuclear Physics Review)

年 卷 期：2024年第41卷第1期

页      面：486-490页

学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11605009) 计量与校准技术国防科技重点实验室开放课题(JLKG2022001C003)~~ 

主　　题：SiC探测器 漏电流 辐照损伤 

摘      要：针对极端环境下耐高温和耐辐照半导体探测器的研制需求,利用外延层厚度为100μm的4H-SiC外延片通过欧姆接触和肖特基接触制备成肖特基二极管,封装成肖特基二极管探测器。在25℃～150℃的环境下,测量探测器的I-V特性曲线。结果表明,在温度≤105℃时,漏电流曲线变化较小。当偏置电压为-500V时,温度从25℃上升至105℃,漏电流的变化率为0.33%℃。利用北京大学化学系60Co放射源对探测器进行辐照,对比总剂量1 Mrad的实验前、实验后的探测器I-V特性变化。结果表明,辐照前后探测器的漏电流无明显变化。