碲锌镉探测器载流子屏蔽效应非线性变化研究

作     者：黎淼 肖沙里 杨国强 马跃东 Li Miao;Xiao Shali;Yang Guoqiang;Ma Yuedong

作者机构：通用电气医疗集团CT探测器工程部北京100176 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2015年第35卷第A01期

页      面：60-65页

核心收录：

学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金(10876044 61274048) 

主　　题：探测器 医学辐射成像 射线诊断成像 半导体 像素阵列 

摘      要：搭建了基于像素阵列碲锌镉晶体的辐射成像探测系统，采用X射线源完成了不同管电压条件下的成像探测实验。实验结果表明，在保持较高辐照通量的条件下，管电压的增大会导致探测器出现范围逐渐扩大的无信号响应屏蔽区域，无响应区域边缘像素出现非线性信号变化。进一步通过建立探测器有限元模型，求解了第一类边界条件电势泊松方程，仿真模拟了不同特征光子能量及线性衰减系数条件下，碲锌镉晶体内部电势及电场分布。仿真结果表明，随着入射光子能量及线性衰减系数的变化，辐照中心的晶体内部出现相对高电势区域，造成电子载流子迁移路径出现扭曲而使得相应位置像素电极无法获得载流子感应电荷信号；而晶体内部相对高电势区域范围的非线性变化，是信号屏蔽区域边缘的像素单元信号随着入射光子能量的增加出现非线性变化的主要原因。