薄膜铌酸锂片上集成多维复用光子器件(特邀)
Thin Film Lithium Niobate On-Chip Integration of Multi-Dimensional Multiplexed Photonic Devices(Invited)作者机构：兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000
出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)
年 卷 期：2024年第61卷第11期
页 面：29-49页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学]
基 金：甘肃省自然科学基金重点项目(23JRRA1026) 甘肃省自然科学基金在站博士后专项项目(23JRRA1126)
摘 要：铌酸锂(LiNbO_(3))材料因其优异的电光、声光和非线性光学特性,被视为实现高性能集成光电子芯片的理想材料平台。近年来,随着晶圆级绝缘衬底上的铌酸锂(LNOI)薄膜的成功制备和微纳加工技术的突破,LNOI平台在大规模高速光电子器件集成方面已展现出显著优势。在高速调制器等基础通信器件已成功利用光电子集成技术实现的基础上,通过多信道并行传输数据以扩展链路容量的先进多路复用技术也受到广泛关注。基于LNOI平台,多个复用维度的集成光子器件得以开发,旨在实现高速大容量光电子通信器件的单片集成。本文探讨了LNOI光波导以及近期报道的多维复用LNOI集成光子器件,包括波长、模式、偏振维度的光信号复用、调控等关键技术,介绍了器件的工作机制、设计原理和方法以及性能指标。最后,讨论了LNOI平台上多维复用集成光子器件面临的挑战和潜在解决方案。
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