N掺杂MgZnO薄膜的p型导电稳定性研究

作     者：高丽丽 李淞菲 曹天福 张雪 GAO Li-li?;LI Song-fei;CAO Tian-fu;ZHANG Xue

作者机构：北华大学物理学院吉林吉林132013 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2015年第30卷第6期

页      面：925-929页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目(No.2013181) 

主　　题：射频磁控溅射 MgZnO薄膜 p型 稳定性 

摘      要：利用磁控溅射技术,以Mg0.06Zn0.94O为陶瓷靶材,制备了N掺杂p型Mg0.1 3Zn0.8 7O薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜p型导电性质在室温空气下随时间的变化情况。实验结果表明,薄膜的电阻率逐渐升高,载流子浓度降低,五个月以后,薄膜转变为n型导电,电阻率为85.58Ω·cm,载流子浓度为4.53×1016/cm3,迁移率为1.61cm2·V-1·s-1。真空热退火后重新转变为p型。结果显示,其p型导电类型的转变与在空气中吸附H2O或H2等形成浅施主有关。