半导体垂直腔面发射激光器的微腔效应
Micro-Cavity Effectin Vertical Cavity Semiconductor Surface Emitting Lasers作者机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院教育部光电子信息工程实验室天津300072 河北工业大学电气信息学院天津300130 北京工业大学电子工程学系北京市光电子技术室北京100022
出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)
年 卷 期：2000年第20卷第5期
页 面：592-596页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：北京市自然科学基金资助项目!(4 972 0 0 6 )
主 题：半导体垂直腔面发射激光器 自发发射 微腔效应
摘 要：应用腔量子电动力学和半导体物理学讨论了半导体垂直腔面发射激光器的微腔效应 ,得到了实际腔结构和注入载流子下的半导体垂直腔面发射激光器的自发发射谱 ,计算结果表明 ,半导体分布布拉格反射垂直腔激光器的单方向自发发射可以增强约 2 0 0倍。
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