Si-GaP(110)异质结的理论研究
Theoretical study of Si- GaP(110) heterojunction作者机构:复旦大学物理学系
出 版 物:《复旦学报(自然科学版)》 (Journal of Fudan University:Natural Science)
年 卷 期:1994年第33卷第3期
页 面:241-248页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学]
摘 要:用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Si—GaP(110)异质结,得到的主要结果是:GaP和Si表面有相似的电子特性;由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰;在Si/GaP(110)界面有不同于其他异质结的、由Si-GaP界面态引起的界面势;两个半无限晶体构成的Si一GaP(110)异质结的能带偏移为0.43eV.