α-Fe_2O_3掺杂对In_2O_3电导和气敏性能的影响

作     者：葛秀涛 刘杏芹 

作者机构：滁州师范专科学校化学系滁州239012 中国科学技术大学材料科学与工程系合肥230026 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2001年第17卷第10期

页      面：887-891页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：安徽省教育厅自然科学基金资助项目 

主　　题：共沉淀 α-三氧化二铁 电导 C2H5OH 气敏性 半导体材料 氧化铟 掺杂 

摘      要：用化学共沉淀法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂的Ｉｎ２Ｏ３纳米晶微粉，研究了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂对Ｉｎ２Ｏ３电导和气敏性能的影响．结果表明，α－Ｆｅ２Ｏ３和 Ｉｎ２Ｏ３间可形成有限固溶体Ｉｎ２－ｘＦｅｘＯ３（０≤ｘ≤０．４０）；Ｆｅ３＋对 Ｉｎ２Ｏ３晶格中Ｉｎ３＋格位的部分取代，大大增强了阴阳离子间的结合力，导致材料中氧空位Ｖｏｘ数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降．ｎ（Ｆｅ３＋）：ｎ（Ｉｎ３＋）＝５：５的共沉淀粉于 ８００℃下灼烧 ４ ｈ所得的 α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂Ｉｎ２Ｏ３传感器元件，对 ４５μｍｏｌ·Ｌ－１Ｃ２Ｈ５ＯＨ的灵敏度达５４．０，为相同浓度干扰气体汽油的８倍多．