α-Fe_2O_3掺杂对In_2O_3电导和气敏性能的影响
Effect of α-Fe_2O_3 on the Conductance and Gas-sensing Properties of In_2O_3作者机构:滁州师范专科学校化学系滁州239012 中国科学技术大学材料科学与工程系合肥230026
出 版 物:《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)
年 卷 期:2001年第17卷第10期
页 面:887-891页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:安徽省教育厅自然科学基金资助项目
主 题:共沉淀 α-三氧化二铁 电导 C2H5OH 气敏性 半导体材料 氧化铟 掺杂
摘 要:用化学共沉淀法制备了α-Fe2O3掺杂的In2O3纳米晶微粉,研究了α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明,α-Fe2O3和 In2O3间可形成有限固溶体In2-xFexO3(0≤x≤0.40);Fe3+对 In2O3晶格中In3+格位的部分取代,大大增强了阴阳离子间的结合力,导致材料中氧空位Vox数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降.n(Fe3+):n(In3+)=5:5的共沉淀粉于 800℃下灼烧 4 h所得的 α-Fe2O3掺杂In2O3传感器元件,对 45μmol·L-1C2H5OH的灵敏度达54.0,为相同浓度干扰气体汽油的8倍多.