X波段单面场微带隔离器设计
Design of X-band single-side magnetic field microstrip isolator作者机构：中国电子科技集团公司第九研究所四川绵阳621000
出 版 物：《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)
年 卷 期：2024年第55卷第4期
页 面：62-66页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：单面场微带隔离器 X波段 隔离度 开缝六边形结电路结构
摘 要：针对提升微带器件隔离度的需求,根据微带环行器的设计理论,设计了一种工作在X波段的高隔离度、高温度稳定性的单面场微带隔离器。通过对微带器件工作模式分析,提出开缝六边形结匹配矩形开路负载的电路结构。测试结果表明,采用开缝六边形结匹配矩形开路负载电路结构设计的X波段单面场微带隔离器,在11~11.4 GHz工作频率内、-55~+85℃温度下,插入损耗小于0.3 dB,电压驻波比小于1.3,隔离度大于23 dB,达到设计要求。
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