基于SOI的可变电容的特性分析
Characteristic Analysis of Varactors Based on SOI作者机构：北京大学信息科学学院微电子所北京100871
出 版 物：《北京大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis)
年 卷 期：2004年第40卷第5期
页 面：835-839页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家 8 6 3超大规模集成电路SOC重大专项"射频电路模块和关键技术研究"(2 0 0 2AAIE1 5 90 ) 国家自然科学基金(6 0 30 6 0 0 5 )资助项目
摘 要：提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法 ,利用它对一种基于SOI的三端可变电容 (栅控二极管 )进行了模拟研究 ,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响。结果显示 ,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响。在模拟中 ,还观察到了当栅氧厚度很薄时 ,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象。
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