体空位缺陷对氧化铝二次电子发射特性的影响分析
Analysis of effect of bulk vacancy defect on secondary electron emission characteristics of Al_(2)O_(3)作者机构：西安理工大学电气工程学院西安710048 西安交通大学电子科学与工程学院物理电子与器件教育部重点实验室西安710049
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2024年第73卷第15期
页 面：218-224页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 070203[理学-原子与分子物理] 0703[理学-化学] 0714[理学-统计学（可授理学、经济学学位）] 0701[理学-数学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:52307186) 陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2023-JC-QN-0585) 陕西省教育厅青年创新团队项目(批准号:23JP104)资助的课题
摘 要：基于第一性原理和蒙特卡罗模拟方法,系统地研究了氧化铝晶体内部O空位缺陷和Al空位缺陷对二次电子发射特性的影响.密度泛函计算结果表明,空位缺陷会导致能带结构发生改变,其中Al空位缺陷的存在使得禁带宽度变窄,费米能级降低至价带内部.在此基础之上,获得了不同晶体结构下的弹性和非弹性平均自由程.氧化铝中存在Al空位缺陷时的弹性平均自由程最大,而存在O空位缺陷时的非弹性平均自由程最大.为了分析不同缺陷浓度下的二次电子发射特性,对已有蒙特卡罗模拟算法进一步优化.模拟结果表明,随着O空位和Al空位缺陷占比的增加,最大二次电子发射系数随之而下降.相比于Al空位缺陷,相同缺陷占比下O空位缺陷导致二次电子发射系数降低更多.
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