窄禁带半导体紫外光电探测研究进展（特邀）

作     者：吴春艳 张宇梁 贺新辉 杨小平 王秀娟 

作者机构：合肥工业大学微电子学院 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2024年第7期

页      面：41-51页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：安徽省自然科学基金(No.2208085MF177)~~ 

主　　题：光电探测器 紫外 窄禁带半导体 泄漏模式共振 厚度依赖的吸收系数 

摘      要：紫外光电探测器具有比可见和近红外光电探测器更低的背景噪声、更高的灵敏度和更强的抗干扰能力，广泛应用于光学成像、安全监测、空间探测等领域。近年来，窄禁带半导体微纳结构在紫外甚至日盲紫外探测领域脱颖而出。本文介绍了两类半导体微纳结构（超细纳米线、超薄纳米片）中光吸收特性随材料特征尺寸的变化，揭示了窄禁带半导体应用于紫外探测的工作机理，综述了基于窄禁带半导体微纳结构的紫外光电探测器的研究进展，并对发展趋势进行了展望。与宽禁带半导体和Si基紫外光电探测相比，窄禁带半导体微纳结构提供了一种工艺条件更简单、制造成本更低的紫外光电探测方式。