Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器特性
Characteristics of Al-doped ZnO Nanowire Arrays Ultraviolet Photodetectors作者机构:东华理工大学江西省网络空间安全智能感知重点实验室南昌330013 东华理工大学软件学院南昌330013 东华理工大学信息工程学院南昌330013
出 版 物:《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期:2024年第53卷第7期
页 面:116-124页
核心收录:
基 金:国家自然科学基金(No.11865002) 江西省自然科学基金(No.20212BAB201003) 江西省研究生创新基金项目(No.YC2023-S591) 东华理工大学博士科研启动基金(No.DHBK2019214) 江西省网络空间安全智能感知重点实验室开放基金(No.JKLCIP202208)
主 题:紫外光探测器 氧化锌 Al掺杂 掺杂浓度 水热法 光响应
摘 要:采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向生长,形成良好取向阵列。并且用这些Al掺杂ZnO纳米线阵列作为光敏层,制备了五种紫外光探测器,系统研究了器件性能。经分析,所有器件对365 nm紫外光表现出良好响应。1%Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器具有最佳性能,在365 nm波长处,该探测器响应度、比探测率、灵敏度、外量子效率、响应时间和衰减时间分别为6180 mA/W、1.51×10^(12)Jones、83.2、6090%、4.12 s和14.45 s。该研究证实在ZnO纳米线阵列中进行适量Al掺杂,可有效提高其紫外光探测器性能。