扫描干涉场曝光中关键技术的现状与发展趋势
Status and Development of Scanning Beam Interference Lithography System作者机构：中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室上海201800 中国科学院大学北京100049
出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)
年 卷 期：2015年第52卷第10期
页 面：1-12页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家国际科技合作项目(2011DFR10010) 国家科技重大专项课题(2011ZX02402) 上海市科技人才计划项目(14YF1406300)
摘 要：扫描干涉场曝光(SBIL)在制作大尺寸、纳米精度的衍射光栅中有着独特的优势。为了充分了解SBIL系统的技术特点,介绍了国内外SBIL技术的发展现状,并针对SBIL系统中的各个关键技术进行技术性的调研与总结,着重分析了各关键技术已有解决方法的基本原理、优点以及存在的局限性,结合具体的光栅应用要求,给出了各关键技术的相应具体指标,展望了其发展趋势。
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