高频传输室过渡接头内导体的形状优化设计
Optimized Design of Transitional Inner Conductor for GTEM Cell作者机构:南通大学机械工程学院江苏南通226019
出 版 物:《中北大学学报(自然科学版)》 (Journal of North University of China(Natural Science Edition))
年 卷 期:2010年第31卷第2期
页 面:183-187页
学科分类:080904[工学-电磁场与微波技术] 1202[管理学-工商管理] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:江苏省高校自然科学基金资助项目(07KJD430174)
摘 要:研制吉赫兹横电磁波传输小室,其过渡接头的结构设计尤为关键.运用电磁学中的能量对偶法精确求解GTEMcell中过渡接头部分的特性阻抗,通过建立和求解精确的过渡接头内导体侧边曲线方程,对内导体侧边形状进行优化设计.改进了以往GTEMcell过渡接头内导体侧边采取直线过渡的近似设计方法,解决了高频输入转接头的设计制作难题,保证了高频传输室的整体性能.测试结果表明:采用优化设计过渡接头内导体研制的传输室在0.4~15GHz的频带范围内,电压驻波比均小于1.5,其综合性能明显高于优化设计前的高频传输小室.