用GaAs FET实现宽带有源倍频链技术研究
Wideband Active Frequency Multiplier Designed with GaAs FET作者机构：电子科技大学电子工程学院成都610054
出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)
年 卷 期：2006年第35卷第4期
页 面：474-477页
核心收录：
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍一种用砷化镓场效应管实现宽带信号的倍频技术,该技术具有有源倍频的有增益、单向性及隔离度好、稳定性好等特点,并对其进行了仿真实验,结果表明:使用砷化镓场效应管实现的宽带有源倍频是低次倍频中一种有效的技术手段。
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