动载下剪应力对硫化镉单晶相变影响的实验研究

作     者：唐志平 Y.M.Gupta Tang Zhiping Y.M. Gupta(University of Science and Technology of China) (Washington State University.U.S.A.)

作者机构：中国科学技术大学 (美)华盛顿州立大学 

出 版 物：《高压物理学报》 (Chinese Journal of High Pressure Physics)

年 卷 期：1989年第3卷第4期

页      面：290-297页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

主　　题：剪应力 相变 硫化镉 晶体 半导体 

摘      要：动载下剪应力对相变起始压力有无影响,长期以来一直是一个未解决的问题。Duvall和Graham建议用硫化镉(CdS)晶体来作为判据材料。本文采用前后压电石英传感器方法系统地研究了高速平面撞击下的c轴CdS单晶试样中剪应力对相变起始压力的影响。实验测得其轴向相变起始应力为σ_r=3.25±0.1GPa,对应的平均压力p_r=2.29±0.07GPa,与静高压值2.3GPa相比在实验误差范围内很吻合,这时相应的剪力τ_r=0.72GPa,高达平均压力的31.5％。这一结果表明,相变机制可以假定为仅与临界平均应力或临界热力学状态有关,剪应力对相变起始压力的影响可以忽略。