磁控溅射Cu膜屈服强度的有限元计算
The Yield Strength Calculated by Finite Element Method for Sputtered Cu Film作者机构：西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安710049
出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)
年 卷 期：2004年第33卷第11期
页 面：1203-1205页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：采用离子辅助轰击共溅射设备,在 Si 基体的(111)晶面上制得了所需的铜膜。采用纳米压入实验,获得不同退火温度下 Cu 膜的弹性模量和硬度。再在纳米压入实验的基础上,结合有限元模型计算不同退火温度下磁控溅射得到的 Cu 膜屈服强度。发现 Cu 膜的屈服强度远高于整体 Cu 材料的屈服强度,并且退火温度对薄膜的屈服强度影响很大。通过 XRD 测量发现其主要原因是退火改变了晶粒尺寸和多晶 Cu 膜的晶粒取向分布,而导致 Cu 膜屈服强度的降低。
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