基于补偿结构的高集成微波功率检测芯片
作者机构：南京邮电大学集成电路科学与工程学院
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2024年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学青年基金资助项目(61904089) 江苏省自然科学青年基金资助项目(BK20190731)
摘 要：为了减小微波功率电容式检测外围电路复杂度，提高芯片集成度和抗干扰能力，本文提出一种基于补偿结构的高集成微波功率检测芯片。建立了跷跷板型微机电系统(MEMS)梁的枢纽力学模型，基于此分析了芯片的过载功率和灵敏度。测试结果表明，8～12 GHz下，芯片的回波损耗小于-27 dB，具有良好的微波性能。芯片热电式检测通道的灵敏度为2.20 V/W@8 GHz，2.85 V/W@10 GHz和1.66 V/W@12 GHz。与传统结构不同，所设计的芯片电容式检测通道基于跷跷板结构采用外加直流补偿的方式测量微波功率，该研究对MEMS微波功率检测芯片集成度的提高具有一定参考价值。
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