Ka波段连续波9 W GaN功率放大器
Ka band CW 9 W GaN Power Amplifier作者机构:南京迈矽科微电子科技有限公司南京211100 东南大学毫米波国家重点实验室南京210096
出 版 物:《微波学报》 (Journal of Microwaves)
年 卷 期:2024年第40卷第3期
页 面:90-92,98页
学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 080902[工学-电路与系统] 08[工学]
摘 要:本文研制了一款采用0.15μm碳化硅基氮化镓功率MMIC工艺的Ka波段连续波功率放大器芯片。功率放大器采用了3级共源级联结构。输出级采用了16个晶体管进行功率合成,有效地分散了热分布,输出匹配网络采用低损耗拓扑架构,保证了输出功率与附加效率。级间匹配采用了最大增益匹配,同时兼顾了小信号增益平坦度。在28 GHz~30 GHz内,小信号增益为25 dB,28 V偏置电压下连续波输出功率大于39 dBm,功率增益为17 dB,附加效率大于25%,热阻为1.41℃/W。输出功率为35 dBm时,IMD 3小于-25 dBc,芯片面积为3.0 mm×3.1 mm。