1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器

作     者：段阳 林中晞 苏辉 DUAN Yang;LIN Zhongxi;SU Hui

作者机构：中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室福建福州350002 中国科学院大学物理科学学院北京101408 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室)福建福州350108 福建中科光芯光电科技有限公司福建福州350003 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2024年第53卷第6期

页      面：90-97页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重点研发计划项目(2023YFB2804803) 中国科学院海西研究院自主部署项目(CXZX-2022-GH09) 闽都创新实验室自主部署项目(2021ZR114) 

主　　题：半导体激光器 碰撞锁模 InP基材料 InGaAs/InGaAsP多量子阱 

摘      要：针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。