低压化学气相沉积氮化硅薄膜工艺研究
Research on the Process of Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Film作者机构：中国电子科技南湖研究院浙江嘉兴314001 浙江大学浙江杭州310058
出 版 物：《智能物联技术》 (Technology of Io T& AI)
年 卷 期：2024年第56卷第1期
页 面：81-84页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：浙江省“领雁”研发攻关计划项目(2022C1098)
主 题：低压化学气相沉积(LPCVD) 氮化硅薄膜 均匀性 沉积速率
摘 要：低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。
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