基于相变薄膜高分辨激光直写光刻研究进展(特邀)

作     者：郭嘉龙 魏涛 魏劲松 胡敬 程淼 刘倩倩 王瑞瑞 李宛飞 刘波 Guo Jialong;Wei Tao;Wei Jingsong;Hu Jing;Cheng Miao;Liu Qianqian;Wang Ruirui;Li Wanfei;Liu Bo

作者机构：苏州科技大学材料科学与工程学院苏州市微纳光电材料与传感器重点实验室江苏苏州215009 中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电材料与器件实验室上海201800 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2024年第51卷第12期

页      面：329-348页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(62205231 52303130) 

主　　题：光刻 高分辨 激光直写 相变薄膜 热阈值 应用 

摘      要：激光直写光刻因其高速、低成本、无需掩模辅助以及能实现大面积的微纳结构制造的优点,在光学元件制造、光学成像、微机电系统等领域中具有广阔的应用前景。然而,受到光学衍射极限的限制,激光直写光刻的分辨率难以达到nm量级。相变薄膜具有制备工艺简单、热阈值效应明显、相变前后显影选择性好等特点,能为实现高分辨激光直写光刻提供新的解决方案。首先,介绍了基于相变薄膜的高分辨激光直写光刻原理。其次,综述了近年来用于高分辨激光直写光刻的SbTe基、GeSbTe基和其他类型相变薄膜的光刻特性、刻蚀选择性以及相关机理。然后,进一步综述了相变薄膜的高分辨激光直写光刻在相变存储、光学传感、光学器件制造及灰度/彩色打印等领域中的应用潜力。最后,对相变薄膜在高分辨激光直写光刻方面的应用前景进行了总结与展望。