短沟道负电容GAAFET的物理解析模型的理论推导
Theoretical derivation of the physical analytical model of short-channel negative capacitance gate-all-around field effect transistor作者机构：南京邮电大学集成电路科学与工程学院江苏南京210023
出 版 物：《大学物理》 (College Physics)
年 卷 期：2024年第43卷第4期
页 面：36-39,55页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金(51602159) 南京邮电大学校级自然科学基金(NY222128)资助
摘 要：围栅场效应晶体管的EDA设计软件是我国芯片产业“卡脖子的关键技术之一,已经受到科学界与产业界的高度重视.本文首先通过合理近似推导出传统短沟道GAAFE的物理解析模型,然后在此基础上通过增加铁电层推导出负电容GAAFET的物理解析模型.该物理模型的理论推导有助于加深学生对GAAFET工作原理的理解,激发学生的学习兴趣,提高学生的研究能力.
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