美国国家材料科学研究所:N型导电性沟道金刚石场效应晶体管
出 版 物：《超硬材料工程》 (Superhard Material Engineering)
年 卷 期：2024年第36卷第3期
页 面：8-8页
学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
主 题：场效应晶体管 材料科学 金属氧化膜 集成电路 Semiconductor 沟道
摘 要：近期,美国国家材料科学研究所(NIMS)团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化(在一个半导体基板内集成多个器件),实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体(CMOS)集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond为题发表在Advanced Science上。
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