四寸砷化镓晶圆临时键合解键合工艺技术
作者机构：深圳芯瑞光科技有限公司广东深圳518110
出 版 物：《中国科技期刊数据库 工业A》
年 卷 期：2024年第4期
页 面：0197-0202页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：临时键合工艺 半导体激光器 砷化镓(GaAs) 解键合工艺
摘 要：红光半导体激光器在激光照明及激光显示技术中有相当重要的应用,其是以砷化镓作为衬底的。半导体激光器晶圆在完成正面工艺后需要将其背面减薄至100um左右然后蒸镀金属电极。由于砷化镓单晶是一种软而脆的材料,减薄后极易碎裂。针对此问题设计了一种低成本且简单易行的临时键合以及解键合工艺,该方案可以极大提升晶圆减薄制程的良率,应用于实际生产中可解决破片问题。
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