Low TCR-MIM氮化钽极板制备及其性能研究
Study on Preparation and Properties of Low TCR-MIM Tantalum Nitride Plate作者机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201203
出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)
年 卷 期：2024年第41卷第4期
页 面：58-61页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：阐述TCR-MIM结构具有更好的稳定性、精度和可调性,适用于高精度、高稳定性的场景。通过研究沉积次数、溅射功率和N2流量对氮化钽(TaN)极板及MIM性能的影响,获得一种Low TCR TaN作为MIM结构底部极板。当沉积2次,保持基准功率,N_(2)流量约为基准流量1.2倍时,MIM结构TCR达到2ppm/℃,MIM结构可靠性测试通过,获得一种优异的低温度漂移系数TaN极板,有利于高性能MIM电容的制备。
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