基于7阶相关NRZ编码的D2D接口设计
作者机构:国防科技大学
出 版 物:《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)
年 卷 期:2024年第8期
页 面:2688-2705页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:国家自然科学基金(No.62204263) 国防基础科学研究计划项目(No.WDZC20215250107)~~
主 题:片上互连 相关非归零编码 带宽密度 有线收发机 电压模驱动 有源电感
摘 要:本文提出了一种新型高带宽密度、低功耗的面向片上(Die to Die,D2D)互连的7阶相关非归零(Non-Return-to-Zero,NRZ)编码接口电路结构.为了进一步提高5阶相关NRZ编码在D2D互连中的信噪比和带宽密度,设计了基于发射矩阵和接收矩阵的编解码电路.基于发射矩阵,在发射端设计了基于电压模驱动的编码电路,有效降低了功耗;基于接收矩阵,在接收端设计了基于有源可调电感的解码均衡电路,提高了通信速率.同时,为了解决接收端时钟偏斜问题,还设计了误码校准电路.该接口电路采用28 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺设计,核心面积为3 mm2,可适用于10~50 mm的片上互连.后端仿真结果表明,在奈奎斯特频率为20 GHz、信道插损为-8 d B的条件下,接收端最窄眼宽为0.45 UI,误码率小于10-15,能耗效率为1.2 p J/b,带宽密度为448 Gbps/mm.