外源硅处理对不同南瓜砧木苗期生长的影响
Effect of exogenous silicon treatment on seedling growth of different pumpkin rootstocks作者机构:河南科技学院园艺园林学院河南新乡453003
出 版 物:《中国瓜菜》 (China Cucurbits And Vegetables)
年 卷 期:2024年第37卷第6期
页 面:104-110页
学科分类:09[农学] 0902[农学-园艺学] 090202[农学-蔬菜学]
基 金:河南省科技攻关计划(232102110233 232102110192 222102110394)
摘 要:为明确硅对不同南瓜砧木苗期生长的影响,以3种脱黄瓜蜡粉能力不同的南瓜砧木(B04、B07为脱蜡粉材料,B06为不脱蜡粉材料)为试验材料,在人工气候室内采用水培法,设置7个浓度梯度(0、0.3、0.6、0.9、1.2、1.8、2.4 mmol·L^(-1))的外源硅(Na2SiO3·5H2O)处理,待幼苗长至4叶1心时进行生长指标和硅含量的测定。结果表明,不脱蜡粉南瓜苗期的生物量和根系的生长势均高于脱蜡粉材料;低于1.2 mmol·L^(-1)的外源硅处理对南瓜苗期的生物量和根系的生长势均起促进作用,其中0.9 mmol·L^(-1)促进效果最显著;1.8 mmol·L^(-1)外源硅处理对脱蜡粉材料起抑制作用,对不脱蜡粉材料起促进作用;2.4 mmol·L^(-1)外源硅处理对3种材料抑制效果显著,但不脱蜡粉材料对高浓度外源硅的耐受性强于脱蜡粉材料。南瓜幼苗地上、地下部的硅含量随外源硅浓度升高而增加,地上部硅含量始终高于地下部,且不脱蜡粉材料硅含量高于脱蜡粉材料。综上所述,外源硅对南瓜幼苗生长的影响表现为低浓度促进、高浓度抑制,不同脱蜡粉能力的南瓜材料对高浓度外源硅处理的耐受性存在差异。