GaAs基近红外锥形半导体激光器研究进展
作者机构：中国工程物理研究院高能激光重点实验室 中国工程物理研究院应用电子学研究所 中国工程物理研究院研究生院
出 版 物：《激光技术》 (Laser Technology)
年 卷 期：2024年
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要：基于GaAs衬底的近红外波段半导体激光器已经取得了显著的发展，在大功率研究方面，主振荡功率放大器结构的锥形半导体激光器因其可以同时实现高功率、高光束质量的优良特性，成为广受关注的研究热点。归纳了近年来国内外关于GaAs基锥形激光器的代表性研究成果，讨论了激光器器件结构设计（包括脊形区、锥形区以及布喇格光栅等的设计）和外延层优化在理论研究和实验方面取得的进展。围绕高功率、高光束质量、高亮度、窄线宽应用需求，总结整理了锥形激光器的研究进展与性能特征，对本团队关于锥形激光器的研究工作进行了简要介绍，并展望了锥形激光器未来的发展方向。
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