咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >硅基热电子短波红外探测技术(封面文章·特邀) 收藏

硅基热电子短波红外探测技术(封面文章·特邀)

Silicon based hot electron short wave infrared detection technology(cover paperinvited)

作     者:文鑫皓 贾瑀 于乐泳 邵丽 陈惠 霞朝杰 汤林龙 史浩飞 Wen Xinhao;Jia Yu;Yu Leyong;Shao Li;Chen Hui;Xia Chaojie;Tang Linlong;Shi Haofei

作者机构:重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 中国科学院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心重庆400714 

出 版 物:《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期:2024年第53卷第4期

页      面:1-22页

核心收录:

学科分类:080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基  金:国家重点研发计划项目(2021YFB3200900) 

主  题:短波红外 热电子 探测器 肖特基结 

摘      要:短波红外具有穿透烟雾的特性,可在低光照环境或恶劣天气条件下成像,在军事、安防、环境监测等多个领域展现出重要应用价值。硅基热电子短波红外探测技术因具备与CMOS半导体工艺兼容、响应波段灵活可调等独特优势,已成为当前研究的热点。文中系统地回顾了该领域的国内外研究进展,剖析了与光电转换效率密切相关的热电子产生、传输与注入等物理过程中的能量损耗机制。在此基础上,总结了针对性的改进策略,包括通过光学吸收增强和热损耗抑制来增加热电子的产生效率;通过精确调控热电子的初始位置、能量、动量分布及自由程来优化其传输过程;以及利用肖特基结和界面调控等技术来提高热电子的注入概率。此外,文中还讨论了暗电流的抑制方法,以期提升探测器的整体性能。最后,展望了硅基热电子红外光电探测器未来的发展方向。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分