基于光泵浦太赫兹探测的锑化镓光生载流子动力学研究

作     者：肖军 刘泉澄 高源 邓琥 

作者机构：西南科大四川天府新区创新研究院 西南科技大学信息工程学院 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2024年

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 070207[理学-光学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金 22305198 

主　　题：光生载流子动力学 锑化镓 光泵浦-太赫兹探测 电导率 

摘      要：锑化镓(GaSb)是一种具有良好应用价值的III-V族半导体，载流子动力学特性对GaSb相关器件设计具有重要意义。本文采用反射式光泵浦-太赫兹探测技术开展了GaSb晶体光生载流子动力学研究。首先，测量了400nm不同能量泵浦光作用下太赫兹时域峰值强度的变化，计算得到了GaSb晶体光生载流子上升和复合时间；其次，测量了400nm不同能量泵浦光作用下GaSb晶体太赫兹时域光谱，计算得到了其在太赫兹频段电导率；最后，采用Drude-Smith模型对电导率进行拟合，得到了Smith参数c1和载流子散射时间τs。本研究为锑化镓材料改性和相关探测器的制造提供指导。