高Q值横向激发体声波谐振器的设计与制备
Design and Preparation of High-Q XBARs作者机构:江南大学物联网工程学院江苏无锡214122 无锡市好达电子股份有限公司江苏无锡214124
出 版 物:《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)
年 卷 期:2024年第46卷第2期
页 面:154-158页
学科分类:080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
主 题:横向激发体声波谐振器(XBAR) 品质因数(Q)值 高频 大带宽 5G通信
摘 要:随着5G移动通信时代的发展,射频前端(RF front-ends)的滤波和信号处理迫切需要高频大带宽的声学谐振器。横向激发体声波谐振器(XBAR)具有超高的工作频率和超大的机电耦合系数(k^(2)),但其品质因数(Q)值不高,阻碍了其在射频前端中的应用。该文提出了一种基于ZY切铌酸锂(LiNbO 3)的XBAR谐振器,通过有限元(FEM)仿真对谐振器进行了优化设计,并在微机电系统(MEMS)工艺下对谐振器进行加工。该文所制备的横向激发体声波谐振器A 1模式的谐振频率为4.72 GHz,k 2=26.9%,Q_(3) dB为384,温度频率漂移系数为-60.5×10^(-6)/℃。A_(3)模式的谐振频率为13.5 GHz,k^(2)=4.4%。