基于ATE的测试向量自动生成技术研究
作者机构：航天科工防御技术研究试验中心北京100854
出 版 物：《电子制作》 (Practical Electronics)
年 卷 期：2024年第32卷第6期
页 面：21-24页
学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
摘 要：随着FLASH存储器容量的不断扩大,实现其全地址多功能测试所需要的向量深度也急剧增加。传统的复制法实现全地址测试向量编写耗时耗力。并且生产一线大容量FLASH的测试时间花费较长,1Gbit的FLASH全地址program测试需要30分钟左右。针对以上两个问题,本文基于ATE测试系统利用DSRC技术以及写缓冲技术开发了存储器测试向量的自动生成工具,可以实现全地址读写测试。最后以MICRON公司的MT28EW01GABA1HPC为例,通过实际测试数据评估向量自动生成工具的开发效率及生产测试效率。
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