一种宽电源范围高电源抑制比的LDO设计

作     者：沈俊杰 张瑛 陈德媛 熊天宇 罗寅 

作者机构：苏州锴威特半导体股份有限公司 南京邮电大学集成电路科学与工程学院(产教融合学院) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2024年

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61971240) 

主　　题：宽电源范围 高电源抑制比 低压差线性稳压器 预稳压电路 负反馈 交叉耦合结构 

摘      要：针对工业及汽车电子等领域对输入电压范围、电源噪声抑制能力要求较高的应用场景，设计了一种宽电源范围、高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio，PSRR)的低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator，LDO)。提出一种新型高压预稳压电路，通过负反馈电流以及三极管共源共栅交叉耦合结构，改善了内部低压电源(LV＿AVDD)线性调整率以及温漂等性能，同时通过预稳压电路进一步提高了LDO的PSRR。基于CSMC 0.18 μm BCD工艺完成了高压预稳压模块以及LDO环路模块的整体电路搭建，仿真实验结果表明当电源电压范围为10～40V、温度范围为-40～125℃时，LV＿AVDD输出5.574V，温漂为13.58ppm/℃，线性调整率为0.763mV/V；LDO输出电压为3.325V，低频电源抑制比达到-120.1dB。